纳米晶磁性材料的磁导率与温度存在着较为复杂的关系，一般表现为在一定温度范围内磁导率随温度升高而增大 ，达到某一峰值后，随温度继续升高磁导率逐渐下降，具体如下：
一 、温度较低时
此时热涨落对磁畴结构的影响较小，磁畴壁移动主要受材料内部的应力 、杂质等因素制约。随着温度的升高 ，材料内部的原子热运动加剧，磁畴壁的能量有所增加，使其移动更加容易，从而导致磁导率随温度升高而逐渐增大。
二 、居里温度附近
当温度接近纳米晶磁性材料的居里温度时 ，磁导率会达到一个峰值。这是因为在居里温度以下，材料具有铁磁性或亚铁磁性，磁畴结构较为稳定，且磁畴壁能够在一定程度上自由移动 。随着温度接近居里温度 ，材料的磁性逐渐发生变化 ，磁畴结构开始变得不稳定，磁导率也随之达到最大值。
三 、温度较高时
超过居里温度后，材料的磁性发生根本性变化 ，由铁磁性或亚铁磁性转变为顺磁性。此时，磁畴结构被破坏，原子的热运动占据主导地位 ，磁矩的取向变得随机 ，导致磁导率随温度升高而急剧下降 。在顺磁状态下，磁导率与温度遵循居里-外斯定律。
此外，不同成分和微观结构的纳米晶磁性材料，其磁导率-温度关系也会有所不同。例如 ，通过调整材料中的合金元素含量，可以改变材料的居里温度和磁导率随温度的变化趋势，以满足不同应用场景对材料磁性能稳定性的要求。
频率对不同类型磁性材料磁导率的影响有何差异